Intel и Micron анонсируют 20-нм технологию флеш-памяти NAND

Intel и Micron не собираются останавливаться на достигнутом, и регулярно оповещают публику об освоении новых, более «тонких», технологических процессов производства флеш-памяти. В прошлом году компании анонсировали 25-нм технологию, на днях же вышел пресс-релиз, повествующий о переходе на 20-нм техпроцесс.

Первые чипы MLC NAND на основе 20-нм техпроцесса имеют объем 8 ГБ и размещаются на площади всего в 118 квадратных миллиметров (а это на 30-40% меньше, чем у памяти прошлого поколения). Разумеется, уплотнение компонентов вовсе не означает, что нельзя комбинировать несколько 8 ГБ чипов для создания более емкого накопителя. То есть, уже в ближайшее время мы увидим смартфоны, планшеты и мультимедиа-плееры с очень вместительной по сегодняшним меркам встроенной флеш-памятью (то же касается и новых, емких SSD для ПК).

Производство памяти начнется во второй половине 2011 года. Более того, в ближайшем обозримом будущем Intel и Micron планируют показать в два раза более емкие чипы объемом 16 ГБ, которые позволят уместить до 128 ГБ на площадь, занимаемую почтовой маркой.